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Noletec-GaN-RF-power-pallet 50 Ohm Noletec logo

NoleTec Microwave Electronics ist ein schwedischer Hersteller von Hochfrequenztransistoren und -Modulen. Es werden hauptsächlich GaN auf SiC Chips von den Marktführern verwendet. Die Firma besteht aus einem Team erfahrener Ingenieure, die sich seit vielen Jahren mit Hochfrequenz Leistungsverstärkern beschäftigen.

NoleTec HF-Leistungstransistoren, Leistungsmodule und Verstärker basierend auf GaN auf SiC

Intern angepasste Verstärkermodule für Radarsysteme im S-Band, C-Band und X-Band

NoleTec macht vorwiegend kundenspezifische Entwicklungen, hat aber auch eine Reihe von Standardprodukten für Radarverstärker entwickelt. Sie basieren auf den fortschrittlichsten GaN auf SiC Transistoren im Frequenzbereich von 1GHz bis 15GHz, mit Leistungen von wenigen Watt bis mehrere 100W. Alle Produkte sind ITAR-frei. Bitte kontaktieren Sie uns, um mehr Details wie Preis und Lieferzeit zu erfahren und Datenblätter zu bekommen.

Typische Psat Werte
  Produkt Frequenzbereich
(MHz)
Ausgangsleistung
(W)
Verstärkung
(dB)
Wirkungsgrad
(%)
Vdd
(V)
Interne
Anpassung
L-Band NGN1214H1S-M50 1200-1400 50 16 60 50 50 Ohm
NGN1214H1S-M200 1200-1400 200 16 60 50 50 Ohm
S-Band NGN2735H1S-M180 2700-3500 180 14 50 50 50 Ohm
NGN2735H1S-M280 2700-3500 280 13.5 50 50 50 Ohm
C-Band NGN4550L1S-M130 4500-5000 130 11 50 32
NGN5359L1S-M30 5300-5900 30 11 50 32 50 Ohm
NGN5359L1S-M60 5300-5900 60 10 50 32 50 Ohm
NGN5359L1S-M120 5300-5900 120 10 50 32 50 Ohm
NGN5359L1S-M150 5300-5900 150 10 50 32 50 Ohm
NGN6472L1S-M25 6 400-7 200 25 8.5 50 32 50 Ohm
NGN6472L1S-M100 6 400-7 200 100 10 45 32 50 Ohm
NGN5359H1S-M45 5 300-5 900 45 11 50 50 50 Ohm
NGN5359H1S-M90 5 300-5 900 90 11 50 50 50 Ohm
NGN5359H1S-M175 5 300-5 900 175 11 50 50 50 Ohm
NGN5359H1S-M220 5 300-5 900 220 11 45 50 50 Ohm
X- Band NGM9098M7S-M10* 9000-10500 10 18 40 40 50 Ohm
* In Entwicklung