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CEL Ersatz für abgekündigte Renesas HF-Produkte

Renesas hat beschlossen, sich aus dem Geschäft für HF-Halbleiter zurückzuziehen (sh. Pressemitteilung). California Eastern Labs (CEL) hat für viele der Renesas-Produkte drop-in replacements entwickelt. Z.B. für alle HF-Schalter von Renesas und für die meisten rauscharmen GaAs FETs (pHEMTs).

Die komplette Liste der End of Life Produkte von Renesas mit den Ersatzprodukten von CEL sehen Sie in diesem pdf.

HF-Komponenten

CEL California Eastern Laboratories designed eine Reihe von HF-Komponenten, die in einer der größten GaAs Foundries produziert werden. Viele der Produkte ersetzen abgekündigte Renesas Bauteile bei reduzierten Kosten und verbesserter Performance.
CEL's Conflict Minerals Statement

GaAs SchalterCEL 6-XSON bottom viewCEL 6-XSON top view

CEL produziert HF-GaAs-Schalter (SPDT, SP3T, DPDT) in Industrie-Standard-Gehäusen und in Miniatur-Gehäusen.
Die Kontrollspannung ist wählbar: 1,8V, 3V oder 5V.
    Typische Messwerte (bei 2,5GHz;TA = 25°C)
Bezeichnung Typ Maximale Frequenz (GHz)   Dämpfung (dB) Isolation (dB) P0.1dB (dBm) P1.0dB
 (dBm) 
CG2163X3 SPDT 6.0 0.40 40 +33.0
CG2176X3 SPDT 5.85 0.45 30
CG2179M2 SPDT 3.0 0.45 26
CG2185X2 SPDT 6.0 0.35 28 +29.0 +32.0
CG2214M6 SPDT 3.0 0.35 25
CG2409M2 SPDT 3.8 0.45 27 +37.5
CG2409X3 SPDT 6.0 0.40 26 +37.5
CG2415M6 SPDT 6.0 0.35 32 +31.0
CG2430X1 SP3T 6.0 0.50 28 +28.0 +31.0
CG2164X3 DPDT 6.0 0.50 25    

Download CEL HF-Schalter selection guide.

Kleinsignal GaAs FETsCEL low noise GaAs FETs Ersatz für Renesas

CEL stellt Low Noise GaAs FET her, die sich durch extrem niedrige Rauschzahl und exzellente HF-Performance bis 20GHz auszeichnen. Sie sind in keramischen und Plastikgehäusen verfügbar.

CEL entwickelt kontinuierlich neue Produkte als Ersatz für abgekündigte Renesas Bauteile. Falls Sie nicht finden, was Sie benötigen, dann kontaktieren Sie uns bitte, da das passende Produkt sich bereits in Entwicklung befinden könnte. Hier ist die Liste der gegenwärtig verfügbaren GaAs FETs. Klicken Sie auf die Bezeichnung, um das Datenblatt zu erhalten.

Typ Ersatz für Renesas-FETs Anwendung Test-Frequenz VDS(V) IDS (mA) Rausch-Zahl Verstär-kung Gehäuse
CE3512K2 NE3210S01
NE3511S02
NE3512S02
NE3514S02
NE3516S02
NE4210S01
LNA für
X-Band,
Ku-Band,
K-Band
12 GHz 2 10 0.30dB 13.7dB Micro-X
CE3514M4 NE3503M04
NE3513M04
2. Stufe
X-Band,
Ku-Band
12 GHz 2 10 0.42dB 12.2dB Plastik SMD
CE3520K3 NE3520S03 LNA für
Ku-Band,
K-Band
20 GHz 2 10 0.55dB 13.8dB Micro-X
CE3521M4 NE3521M04 2. Stufe bei Ku-Band bis 20GHz 20 GHz 2 10 0.70dB 11.9dB Plastik SMD
CE3524K3   LNA für 
K-Band
24 GHz 2 10 0.84dB 13.4dB Micro-X