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Barry Industries , basé dans le Massachusetts, est le principal fabricant de composants RF passifs et résistifs pour les Applications dans le domaine des Communications, de la Défense et du Médical. Les produits de Barry sont conformes aux normes de qualité les plus élevées grâce à l’intégration verticale de tous les process depuis le développement, en passant par toutes les étapes de productions pour terminer par les tests fonctionnels (RF jusqu’à 60GHz, alimentation pulsée et haute tension). Barry a également la capacité de faire des tests de haute fiabilité (High-Rel screening) pour les Applications de Défense et Spatiales. Barry catalogue resistive components

The ART of Passive RF Components:
A
ttenuators (atténuateurs RF), Resistors (résistances RF), Terminaisons (charges RF)
sur alumine (Al2O3) et oxyde de béryllium (BeO).
Présentation générale des composants passifs de Barry.

Télécharger le catalogue des composants résistifs standards de Barry.

Atténuateurs RF

Atténuateurs RF pour montage en surface

Barry leaded RF attenuatorsAtténuateurs RF avec pin de connexion

  • atténuateurs RF avec pin sur substrats en AlN et BeO jusqu'à 4GHz ou 250W
  • atténuations: 0dB, 1dB, 2dB, 3dB, 5dB, 6dB, 10dB, 20dB, 25dB, 30dB

Barry high power flanged RF attenuators Atténuateurs RF avec bride métallique

  • atténuateurs RF avec bride en Cuivre plaqué Argent
  • substrat en Nitrite d'Aluminium (AlN): jusqu'à 800W
  • substrat en Oxyde de Béryllium (BeO): jusqu'à 3000W
  • A souligner: atténuation de 30 dB, jusqu'à 800 W à 4,5 GHz
  • atténuations: 0.5dB, 1dB, 1.5dB, 2dB, 2.5dB, 3dB, 4dB, 5dB, 6dB, 10dB, 15dB, 20dB, 25dB, 30dB, 31dB

Résistances RF pour Hautes Fréquences et Hautes Puissance

Résistances RF couche épaisse pour montage en surface Barry chip resistors

  • résistances CMS de faible capacité en format de 0201 à 5050
  • valeurs de résistance de 0.1 Ohm à 1GOhm. Jumpers 0 Ohm
  • tolérances jusqu’à 1%
  • plage de température de -55ºC à 150ºC
  • se fixe par soudure, fil de bonding ou colle Epoxyor
  • nombreuses configurations des connexions: enveloppantes ou sur une seule face
  • substrat en Alumine (Al2O3) pour une puissance de dissipation jusqu’à 80W CW
  • substrat en Nitrure d'Aluminium (AlN) pour une puissance de dissipation jusqu’à 270W CW
  • substrat en Oxyde de Béryllium (BeO) pour une puissance de dissipation jusqu’à 800W CW

Résistances CMS non-magnétiques couche épaisse pour IRM Barry flip chip resistors

  • résistances CMS non-magnétiques en format de 0202 à 5050
  • sur substrats Al2O3, AlN, ou BeO, même résistances et puissances de dissipation que ci-dessus
  • fixation par soudure ou Epoxy
  • connexions Palladium-Argent conformes aux normes RoHS
  • substrat en Nitrure d'Aluminium (AlN) pour une puissance de dissipation jusqu’à 270W CW
  • substrat en Oxyde de Béryllium (BeO) pour une puissance de dissipation jusqu’à 150W CW
Brochures sur les résistances non-magnétiques

Résistances Flip-Chip pour Hautes Fréquences jusqu’à 60GHzBarry flip chip attenuator

  • résistances Flip-chip en format de 0201 à 2335, jusqu’à 50W de puissance de dissipation
  • avec métallisation à l’arrière en format de 0402 à 5050, jusqu’à 400W de puissance de dissipation
  • d’un seul côté pour bonding ou partie inférieure pour fixation par soudure ou Epoxy
  • métallisations: Or, Etain-Plomb sur Nickel-Or, Etain sur Nickel-Or ou Or sur PtPdAU

Résistances couche épaisse avec brides pour Haute Puissance RF Barry high power flanged resistors

  • faibles valeurs de capacité parasite
  • valeurs de résistances 1Ohm à 1kOhm
  • plage de température -55°C à 150°C
  • tolérances standards ±5%
  • sur BeO de 20W à 1200W de puissance CW
  • sur AlN de10W à 250W de puissance CW
  • toutes sont compatibles RoHS

Résistances couche épaisse avec pin pour Haute Puissance RF Barry leaded resistors

  • sur Nitrure d'Aluminium (AlN) jusqu’à 150W, sur Oxyde de Béryllium (BeO) jusqu’à 200W
  • valeurs de résistances standards 50Ω ou 100Ω, certains modèles disponible de 0.5Ω à 20kΩ
  • tolérances standard 1%
  • plage de température -55°C à 150°C
  • brides en Cuivre plaqué Argent

Barry flanged RF terminationsTerminaisons RF

Barry fabrique des terminaisons RF pour montage en surface (CMS), avec des pins de connexion ou avec des brides.

Terminaisons RF CMS

format 0202 à 3737, jusqu'à 60GHz et une puissance maximale de dissipation de 250W

Terminaisons RF avec pin de connexion

sur substrats AlN et BeO jusqu’à 250W

Terminaisons RF avec bride en Cuivre plaqué Argent

sur substrat AlN jusqu'à 800W ou sur substrat BeO jusqu'à 1750W

rf resistor power derating curveBride en Cuivre-Tungstène pour une Fiabilité maximale

Barry a développé des produits avec de brides en cuivre-tungstène (CuW) adaptées au fonctionnement d’amplificateurs de puissance en signal pulsé ou aux fortes variations de température. Cette note d'application en explique les avantages.
Exigences de résistance spécifique pour les signaux pulsés (voir publication).

Composants céramiques sur mesures

Barry conçoit et fabrique des composants céramiques sur mesure, avec ou sans éléments résistifs.
Vous trouverez ici les paramètres techniques des composants céramiques sur mesure.

Exemples: Barry keramischer Mikrokanalklühler
Charge RF refroidie par eau avec dissipation de puissance de 5 kW

Refroidisseur à microcanaux en céramique (photo de droite).


Substrats couche épaisse sur mesure pour Applications Hyperfréquences et High-Rel

Barry fabrique des substrats couche épaisse de haute précision pour des applications RF (e.g. circuits 5G) dans les domaines de la Défense de l’Espace suivant les plans du client. Voir exemples ci-dessous.
Barry custom thick film substrate C2 Barry custom thick film substrate C3 Barry custom thick film substrate C5 Barry-custom-thick-film-substrate-C6

Barry détient également des Certifications Aérospatiales.

Boîtiers QFN pour Applications Hyperfréquences et Ondes Millimétriques

Barry ceramic QFN RF package Barry a développé des boîtiers QFN hermétiques:
  • Boîtiers en Alumine (Al2O3) ou Nitrure d'Aluminium (AIN)
  • JEDEC MO-220
  • pour les applications hyperfréquences et ondes millimétriques jusqu'à 40 GHz
  • faible pertes d’insertion : DC à 18GHz: 0.5dB; 18GHz à 35GHz: 1.5dB
  • conforme RoHS
  • composants sur mesure à partir de quelques milliers de pièces
Brochure des boîtiers céramique QFN.

Vue d'ensemble des boîtiers standards QFN:
Size
(quadratic)
Pins Configuration JEDEC MO-220
type
Model No.
(data sheet)
3mm 12 Bare Seal Ring VEED-5 QFN-3312-0500
3mm 12 Grounded Seal Ring VEED-5 QFN-3312-0501
3mm 12 Castellated
Grounded Seal Ring
VEED-5 QFN-3312-0502
4mm 20 Bare Seal Ring VGGD-5 QFN-4420-0500
4mm 20 Grounded Seal Ring VGGD-5 QFN-4420-0501
4mm 20 Castellated
Grounded Seal Ring
VGGD-5 QFN-4420-0502
5mm 32 Bare Seal Ring VHHD-5 QFN-5532-0500
5mm 32 Grounded Seal Ring VHHD-5 QFN-5532-0501
5mm 32 Castellated
Grounded Seal Ring
VHHD-5 QFN-5532-0502
6mm 36 Bare Seal Ring VJJD-5 QFN-6636-0500
6mm 36 Grounded Seal Ring VJJD-5 QFN-6636-0501
6mm 36 Castellated
Grounded Seal Ring
VJJD-5 QFN-6636-0502
7mm 44 Bare Seal Ring VKKD-5 QFN-7744-0500
7mm 44 Grounded Seal Ring VKKD-5 QFN-7744-0501
7mm 44 Castellated
Grounded Seal Ring
VKKD-5 QFN-7744-0502
8mm 48 Bare Seal Ring VLLD QFN-8848-0500
8mm 48 Grounded Seal Ring VLLD QFN-8848-0501
8mm 48 Castellated
Grounded Seal Ring
VLLD QFN-8848-0502